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三星将在中国建闪存芯片厂 2013年投产

时间:2011-12-06 17:54:50

  北京时间12月6日下午消息,三星电子周二表示,他们决定在中国建立工厂,从2013年开始生产闪存芯片。三星此举旨在寻求抓住智能机和平板电脑快速发展的机遇。
  如果建厂计划获得批准,该工厂将是三星第二座海外芯片制造工厂,这也反映出中国市场正变得日益重要。三星还计划在中国建立平板显示屏生产基地。
  “新生产线将满足我们客户快速增长的需求,同时加强我们在存储产业的整体竞争力。”三星存储业务总裁Jin Dong-soo在声明中称。
  韩国新韩投资公司(Shinhan Investment)分析师金永灿(Kim Young-chan)表示:“随着收入水平的不断提升,中国预计将超过美国成为第一大电子品市场。”
  三星表示,他们尚未确定该闪存芯片工厂的地址和具体投资金额。金永灿预计,三星将为此投资4万亿韩元(约合35亿美元)至5万亿韩元。
  三星新闪存芯片生产线将采用先进的20纳米级制造工艺。闪存在断电后依旧可以保存数据,目前被广泛用于智能机、平板电脑、数字音乐播放器和U盘中,正逐步取代硬盘成为笔记本主要存储介质。
  三星表示,他们已经就在外国投建生产基地向韩国政府提交了申请,后者要求本国公司需要提出类似申请,主要是担忧本国有价值的高科技技术泄露。
  三星现在是全球最大的NAND闪存芯片制造商,市场份额达到40%,主要与日本东芝、韩国海力士和美国美光竞争。
  三星目前唯一的海外芯片工厂位于美国德州奥斯汀。三星在周二的声明中称,在进行了36亿美元投资后,他们提前提高了该工厂产能,将全产能生产逻辑半导体,比如用于移动设备的处理芯片。
  在建厂声明发布前,三星周二股价下降2.1%。

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