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IBM和ARM研发小功率SOI芯片 意在低功耗

时间:2011-11-15 14:40:28

    据国外媒体报道,IBM、ARM同一批半导体生产商正在进行一项关于小功率SOI芯片组的研究计划,打算将采用体硅制成的CMOS设计转换成全耗尽型FD-SOI装配。由于受超薄氧化物层覆盖,采用该种芯片的设备将提供更好的性能以及更低的能耗。参与此次合作研究的公式有ARM、法国半导体厂商Leti、比利时鲁汶大学 (the Université Catholique de Louvain) 、IBM、Globalfoundries、 法国Soitec。
  SOI工业协会组织的执行总裁Horacio Mendez表示: “这项工作表明表明电路板的制成技术由体硅转向FD-SDI可以直接进行,这仅取决于特定芯片制造商所使用的FD-SDI技术。这项设计能缩短基于FD-SOI设备的面世时间,同时将带来更优化的ICs以及更快的实时速度。”
  研究中bulk-to-fd-soi网络芯片设计的移植,将在现有的平面设计中进行最小的调整,尤其是可行的标准单元库、内存编译器和输入输出操作系统,以获得模拟和混合信号设计。
  FD-SOI一项设计特点是其潜在性能,在运行全IP内核或者整组芯片时电压的供给可以非常低,大概在0.5-0.6V之间。
  目前,该小组正在为全芯片设计接口的两线路进行检测。

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