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日韩芯片公司联合研发MRAM内存芯片

时间:2011-07-14 09:14:53

     据国外媒体报道,韩国芯片巨头海力士半导体周三称,它已经同意与日本东芝公司联合开发和生产下一代内存芯片。 

    海力士在声明中称,根据这个合作协议,海力士和东芝将联合开磁阻式随机存取存储器(MRAM)。与现有的内存芯片相比,MRAM内存将提高速度和效率。一旦开发工作完成,这两家公司将组建一个合资企业大批量生产MRAM内存。 
    海力士是仅次于三星电子的全球第二大DRAM内存芯片厂商。东芝是全球第二大NAND闪存芯片厂商。 
    这个合作将把东芝高级的MRAM技术和海力士有竞争力的成本和内存技术结合在一起。东芝还是全球第三大半导体厂商,仅次于英特尔和三星。 
    MRAM芯片预计在早期阶段将用于移动市场并且用于PC和服务器。 
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