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芯片失效分析

时间:2018-04-10 14:45:15

   芯片失效分析,是确定芯片失效机理的必要手段,为有效的故障诊断提供了必要的信息。不仅帮助设计工程师不断改进芯或修复芯片的设计,使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息,还可以评估不同测试向量的有效性,为生产测试提供必要的补充,为验证测试流程优化提供必要的信息基础。


      芯伟芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目。公司设立了专业集成电路失效分析实验室,配备了国外先进的等离子蚀刻机(RIE)、光学显微镜、电子显微镜(SEM)和聚焦离子束机(FIB)等设备,满足各项失效分析服务的要求。公司拥有一套完善的失效分析流程及多种分析手段,全方位保证工程质量及项目文件的准确无误。
      失效分析流程
            1、外观检查,识别crack,burnt mark等问题,拍照;
            2、非破坏性分析:主要用xray查看内部结构,csam—查看是否存在delamination
            3、进行电测;
            4、进行破坏性分析:即机械机械decap或化学decap等。
     常用分析手段
            1、X-Ray 无损侦测,可用于检测
            2、SAT超声波探伤仪/扫描超声波显微镜
            3、SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪
            4、三种常用漏电流路径分析手段:EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测
            5、Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试,可用来直接观测IC内部信号
            6、ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试 
            7、FIB做电路修改
      此外,公司技术团队还积累了诸如原子力显微镜AFM、二次离子质谱 SIMS、飞行时间质谱TOF - SIMS 、透射电镜TEM、场发射电镜,场发射扫描俄歇探针、 X 光电子能谱XPS、L-I-V测试系统、能量损失 X 光微区分析系统等多种复杂分析手段。

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