当前位置:首页 >> 解密信息 >> 芯片解密

Dallas系列DS1345芯片解密及技术指导

时间:2012-03-01 17:07:58

  世纪芯是Dallas芯片解密的优质供应商,我们向国内外客户常年供应非易失性保护存储器、处理器芯片解密,MCU芯片解密及其相关产品。在各类IC芯片及单片机解密技术研究领域,我们拥有一系列重要研究成果,在长期的技术服务中已经为众多电子工程师及电子企业的学习研究与参考设计提供了完善的技术支持。

  DS1345是Dallas系列典型芯片之一,下文对该芯片的主要性能特征进行介绍,供大家在芯片解密项目合作中进行技术理解和分析。
  DS1345概述
  DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外,DS1345器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1345器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。
  DS1345特性
  ·在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  ·掉电期间数据被自动保护
  ·当VCC电压跌落时,电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态
  ·电池监视器核查剩余电量
  ·100ns的读写存取时间
  ·没有写次数限制
  ·典型待机电流50µA
  ·可升级128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
  ·第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  ·±10% VCC工作范围(DS1345Y)或±5% VCC工作范围(DS1345AB)
  ·可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  ·PowerCap模块(PCM)封装
  ·表面贴装模块
  ·可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
  ·所有NV SRAM器件提供标准引脚
  ·分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
  解密完成后可以提供DS1345烧写服务、烧写建议、加密建议以及DS1345 IC采购等服务和技术指导,协助客户尽可能的提高效率。有DS1345解密等达拉斯MCU单片机解密需求者请直接与我们联系咨询更多解密详情。
解密技术
解密问题
芯片解密